大阪大学SANKEN（科学与工业研究所）的研究人员发现，二氧化钒中的温控导电网络显著提高了硅器件对太赫兹光的灵敏度。

高速、低功耗的电子设备对于无线通信是必不可少的传统上，提高速度涉及缩小器件尺寸，但随着小型化的进展，制造变得越来越复杂我们是否达到了技术极限？没有！大阪大学的研究人员正在寻求另一种方法：通过将图案金属层（称为结构超材料）集成到传统衬底（如硅）上来提高设备性能。

这项技术加速了电子流，提供了巨大的潜力然而，一个关键的挑战仍然存在：确保对超材料结构的精确控制，以便根据实际操作条件进行实时调整二氧化钒：动态控制的解决方案为了寻找解决方案，研究小组研究了二氧化钒（VO2）。

当适当加热时，VO2层中的小区域从绝缘变为金属这些金属区域可以携带电荷，因此表现为微小的动态电极研究人员利用这种行为制造了“活的”微电极，选择性地增强了硅光电探测器对太赫兹光的响应

“我们制造了一个含有VO2作为超材料的太赫兹光电探测器，”主要作者Ai Osaka解释说“一种精确的加工方法被用于在硅衬底上制造高质量的VO2层VO2层中金属畴的大小比传统方法大几十倍，通过温度调节来控制，从而调节硅衬底对太赫兹光的响应。

”提高太赫兹光敏度当温度适当调节时，VO2中的金属畴形成导电网络，控制硅层中的局域电场，提高其对太赫兹光的灵敏度“将光电探测器加热到56°C会导致强烈的信号增强，”资深作者Azusa Hattori补充道。

“我们将这种增强归因于硅层和动态导电VO2微电极网络之间的有效耦合也就是说，VO2超材料的温度控制结构调节了电场增强，从而影响了硅中的电离”“活的”VO2金属区域的温度调节行为增强了硅对太赫兹光的响应这些结果说明了超材料的潜力，以刺激先进电子产品的发展，克服传统材料的局限性，以满足速度和效率的要求。